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電力技術
串聯諧振實驗變壓器一些建議
時間：2021-04-12
串聯諧振實驗變壓器一些建議
按照有關規程的要求，試驗電壓峰值可按如下公式確定：
其中Umax：為0.1Hz試驗電壓的峰值（kV）
β：0.1Hz與50Hz電壓的等效系數，按規程的要求,取1.2
試驗時間按有關規程進行。
串聯諧振實驗變壓器一些建議隨著電機容量的增加，發電機繞組對地電容量也越來越大，特別是水輪發電機，交流耐壓試驗的設備容量也越來越大，給試驗帶來了困難。由于采用0.1Hz比采用Hz的頻率減小了500倍，解決了試驗設備容量的難題。
35kV電纜變頻串聯諧振3km，10kV電纜7km
一、簡介
ZSBX-35kV電纜變頻串聯諧振2km
1、幫助實現各種被試品的預防交流耐壓試驗和交接交流耐壓試驗；
2、考驗交聯橡塑電力電纜、電力變壓器、GIS、互感器、絕緣子、發電機、開關等被試品絕緣承受各種過電壓能力及容性負載的交流耐壓試驗。
二、技術參數
試品對象：
1、35kV/300mm2電纜2km的交流耐壓試驗，電容量≤0.389uF，試驗頻率30-300Hz，試驗電壓52kV，試驗時間60min。
2、10kV/300mm2電纜5km的交流耐壓試驗，電容量≤1.88uF，試驗頻率30-300Hz，試驗電壓22kV，試驗時間5min。
3、10kV開關、互感器的交流耐壓試驗，試驗頻率30-300Hz，試驗電壓不超過42kV，試驗時間1min
設備組合
被試品對象
電抗器67.5kVA/27kV四節
激勵變壓器輸出端選擇35kV/300mm2電纜2km
使用電抗器兩節串聯兩組并聯3kV10kV/300mm2電纜5km
使用電抗器四節并聯1.5kV10kV開關、互感器
使用電抗器兩節串聯3kV
額定容量：270kVA；
輸入電源：單相220或三相380V電壓，頻率為50Hz；
額定電壓：27kV；54kV；
額定電流：10A；5A；
工作頻率：30-300Hz；
裝置輸出波形：正弦波
波形畸變率：輸出電壓波形畸變率≤1%；
工作時間：額定負載下允許連續60min；過壓1.1倍1分鐘；
溫 升：額定負載下連續運行60min后溫升≤65K；
品質因素：裝置自身Q≥30(f=45Hz)；
保護功能： 對被試品具有過流、過壓及試品閃絡保護(詳見變頻電源部分)；
測量精度：系統有效值1.5級；
中試控股激勵變壓器ZSJLB-15kVA/1.5/3kV/0.4kV 1臺
額定容量：15kVA；
輸入電壓：0-400V，單相；
輸出電壓：1.5/3kV
結 構：干式；
重 量：約85kg；
變頻電源ZSXB-F-15kW/220/380V 1臺
額定輸出容量：15kW
工作電源：220/380±10%V（單/三相），工頻
輸出電壓：0 –400V，單相，
額定輸入電流：37.5A
額定輸出電流：37.5A
電壓分辨率：0.01kV
電壓測量精度：1.5%
頻率調節范圍：30 – 300Hz
頻率調節分辨率：≤0.1Hz
頻率穩定度： 0.1%
運行 時 間：額定容量下連續60min
額定容量下連續運行60min元器件最高溫度≤65K;
噪聲 水 平：≤50dB
中試控股高壓電抗器ZSDK-67.5kVA/27kV 4節
額定容量：67.5kVA;
額定電壓：27kV；
額定電流：2.5A；
電感 量：50H/單節；
品質因素：Q≥30 (f=45Hz)；
結 構：干式；
重 量：約65kg；
中試控股電容分壓器ZSFRC-60kV/1500pF 1套
額定電壓：60kV；
高壓電容量：1500pF
介質損耗：tgσ≤0.5%；
分壓 比：1000：1
測量精度：有效值1.5級;
重 量：約8kg；
而在超低頻情況下，此電容電流大大減小了，半導體防暈層上的壓降也大為減小，故端部絕緣上電壓較高，便于發現缺陷。
0.1Hz程控超低頻高壓發生器電纜的超低頻耐壓試驗方法
連線方法：試驗時應分相進行，被試相加壓，非被試相短接接地。因此，在《預規》中說明：有條件時，可采用超低頻耐壓試驗裝置，試驗電壓為工頻試驗電壓峰值的1.2倍。由研究可知，0.1Hz電壓在繞組端部絕緣的分布，介于50Hz和直流電壓之間，故易檢出槽口及其附近絕緣問題
串聯諧振實驗變壓器一些建議在交接、大修、局部更換繞組以及常規試驗時，均可進行此項試驗。用0.1Hz超低頻對電機進行耐壓試驗，對發電機端部絕緣比工頻耐壓試驗更有效。其原因是在工頻電壓下，由于從線棒流出的電容電流在流經絕緣外面的半導體防暈層時造成了較大的電壓降，因而使端部的線棒絕緣上承受的電壓減小；
K：通常取1.3～1.5，一般取1.5
Uo：發電機定子繞組額定電壓（kV）
1.在交接、大修、局部更換繞組以及常規試驗時，均可進行此項試驗。用0.1Hz超低頻對電機進行耐壓試驗，對發電機端部絕緣的缺陷比工頻耐壓試驗更有效。其原因是在工頻電壓下，由于從線棒流出的電容電流在流經絕緣外面的半導體防暈層時造成了較大的電壓降，因而使端部的線棒絕緣上承受的電壓減小；而在超低頻情況下，此電容電流大大減小了，半導體防暈層上的壓降也大為減小，故端部絕緣上電壓較高，便于發現缺陷。
2.連線方法：試驗時應分相進行，被試相加壓，非被試相短接接地
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